1. تعارف
سیمیکمڈکٹرز کے لئے اعلی کارکردگی اور وشوسنییتا کے حصول میں اور - ایج ایپلی کیشنز کاٹنے کے لئے ، سلیکن نائٹریڈ (سیئنی) نے اس کی خصوصیات کے غیر معمولی امتزاج کی وجہ سے نمایاں توجہ حاصل کی ہے۔ یہ اعلی سختی ، بہترین فریکچر سختی ، اچھا کیمیائی استحکام ، تھرمل توسیع کا ایک کم گتانک ، اور بقایا بجلی کی موصلیت پیش کرتا ہے۔ یہ خصوصیات اس کو کلیدی اجزاء کی تیاری کے ل an ایک مثالی مواد بناتی ہیں جیسے اعلی - پرفارمنس سیرامک بیئرنگ ، سیمیکمڈکٹر کے عمل میں پرتوں کو موصل کرنا ، تھرمل مینجمنٹ سبسٹریٹس ، اور آپٹیکل ونڈوز۔
سلیکن کاربائڈ اور نیلم ، ہیمی کارپوریشن جیسے سخت اور آسانی سے ٹوٹنے والے مواد کو پالش کرنے میں گہرے تجربے کا فائدہ اٹھانا ، خاص طور پر سلیکن نائٹرائڈ سبسٹریٹس کے لئے ایک پختہ پالش کرنے کا عمل تیار کیا ہے۔ یہ عمل موثر اور مستقل طور پر سلیکن نائٹرائڈ وافرز کو "ایپیٹیکسی -}}}}}} - ہموار سطح پر عمل کرتا ہے ، جس میں درخواست کی سخت ترین ضروریات کو پورا کیا جاتا ہے۔
2. درخواست کی ضروریات
سلیکن نائٹریڈ وفرز کے لئے پالش کرنے والے مقاصد دیگر اعلی درجے کے سیرامک مواد کے ساتھ صف بندی کرتے ہیں: ہدف کی موٹائی سے سبسٹریٹ کو پتلا کرنا جبکہ کل موٹائی کی مختلف حالتوں (ٹی ٹی وی) کو سختی سے ± 2 مائکرو میٹر سے بہتر طور پر کنٹرول کرنا ، اور سطح کی کھردری (RA) کو نمایاں طور پر 2 نینو میٹر سے کم تک بہتر بنانا۔
ان اہداف کو حاصل کرنے کے لئے ، ہیمی عمل میں پہلے سیلیکن نائٹریڈ ویفر کو ویفر بانڈنگ سسٹم کا استعمال کرتے ہوئے کوارٹج گلاس کیریئر ڈسک کے ساتھ عارضی طور پر پابند کرنا شامل ہے۔ یہ پروسیسنگ کے دوران استحکام اور ہم آہنگی کو یقینی بناتا ہے۔ اس کے بعد ، صحت سے متعلق لیپنگ اور پالش کرنے پر مشتمل ایک دو - مرحلہ کا طریقہ کار تیز رفتار مادے سے ہٹانے سے لے کر ٹھیک پالش کرنے تک مکمل - عمل کو کنٹرول کرنے کے قابل بناتا ہے۔
3. سسٹم کی وضاحتیں
ہیمی کا ماڈیولر پالش کرنے والا نظام مختلف سائز اور بیچ کی مقدار کے سلیکن نائٹریڈ ویفرز کو لچکدار طریقے سے سنبھال سکتا ہے۔ بنیادی نظام میں شامل ہیں:
HSM - l / hsm - lp سیریز پیسنے کا سامان:ابتدائی صحت سے متعلق پیسنے والے مرحلے کے لئے استعمال کیا جاتا ہے۔
HSM - CMP سیریز کیمیائی مکینیکل پالش نظام:حتمی الٹرا - صحت سے متعلق پالش کے لئے استعمال کیا جاتا ہے ، نانوسکل سطح کی تکمیل کو حاصل کرتے ہوئے۔
کلیدی سب سسٹم:
ویفر بانڈنگ یونٹ (ڈبلیو بی):کیریئر ڈسک پر ویفر کی اعلی - صحت سے متعلق بانڈنگ کو یقینی بناتا ہے۔
ایس جے/اے ایس جے سیریز پریسجن پالش فکسچر:مستحکم اور قابل اعتماد کلیمپنگ حل فراہم کرتا ہے۔
C - ASJ ڈرائیو ہیڈ ہائی - اسپیڈ پالش سسٹم:موثر اور یکساں مواد کو ہٹانے کے قابل بناتا ہے۔
4. پروسیسنگ فلو
4.1 بڑھتے ہوئے ، فکسنگ ، اور پیسنا
بانڈنگ:سلیکن نائٹریڈ ویفر کو کوارٹج گلاس سپورٹ ڈسک کے ساتھ عارضی طور پر بانڈ کرنے کے لئے ہیمی ڈبلیو بی بانڈنگ یونٹ کا استعمال کریں۔ یہ نظام مختلف ویفرز کے مابین موٹائی کی مختلف حالتوں کی تلافی کرسکتا ہے ، جس سے ابتدائی ہم آہنگی اچھی ہے۔
فکسنگ:کسی ایس جے یا اے ایس جے سیریز پالشنگ فکسچر کے ویکیوم چک پر بانڈڈ سبسٹریٹ کو ماؤنٹ کریں۔
پیسنا:حقیقت کو الٹ دیں تاکہ ویفر کا پروسیسنگ چہرہ HSM - l سامان کی پیسنے والی پلیٹ پر نیچے کی طرف ہو۔ یہ نظام 130 آر پی ایم تک کی رفتار سے چلتا ہے ، جبکہ ایک میٹرنگ پمپ ہیرا پیسنے والی گندگی کو ایک کنٹرول بہاؤ کی شرح پر پلیٹ کی سطح پر فراہم کرتا ہے۔ اس اقدام کا مقصد مادے کی زیادہ تر تیزی سے اور یکساں طور پر ختم کرنا ہے ، جبکہ موٹائی کی مختلف حالتوں کو ابتدائی طور پر کنٹرول کرنا ہے۔
4.2 بڑھتے ہوئے ، فکسنگ ، اور پالش
منتقلی:پیسنے کے بعد ، ویفر کو صاف کریں اور اسے شیشے کے کیریئر ڈسک سے ہٹا دیں۔
صحت سے متعلق پالش:
آپشن A (اعلی - صحت سے متعلق ترجیح):ہیمی HSM - cmp سسٹم کا استعمال کریں۔ وافر کو براہ راست پانی کی سکشن یا ویکیوم کے ذریعے اپنی مرضی کے مطابق پالش کرنے والے سر پر طے کیا جاتا ہے ، جس سے ثانوی تعلقات کی ضرورت کو ختم کیا جاتا ہے۔ یہ نظام اعلی عمل پر قابو پانے کی پیش کش کرتا ہے۔ کلیدی پیرامیٹرز جیسے پلاٹین اسپیڈ ، ڈاون فورس ، اور گندگی کے بہاؤ کی شرح کو ٹچ اسکرین انٹرفیس کے ذریعہ حقیقی - میں خاص طور پر ایڈجسٹ کیا جاسکتا ہے تاکہ مادی ہٹانے کی شرح (ایم آر آر) اور سطح کے معیار کو بہتر بنایا جاسکے۔
آپشن بی (اعلی - کارکردگی کا متبادل):اونچی - اسپیڈ پالشنگ کے لئے سی - ASJ ڈرائیو ہیڈ سے لیس ایک سرشار پالشنگ فکسچر میں ویفر کو لوڈ کریں۔
5. نتائج
سلیکن نائٹریڈ سبسٹریٹس کے لئے ہیمی پالش کرنے کے نظام کا استعمال ایک مثالی اونچائی - اس کے بعد کی پتلی - فلم جمع کرنے یا بانڈنگ کے عمل کے لئے تیار معیار کی سطح حاصل کرتا ہے۔ ہر پالش ویفر یکساں مادی ہٹانے اور 极高的表面平整度 (انتہائی اعلی سطح کی چپٹا) حاصل کرتا ہے۔
عمل کے پیرامیٹرز کو بہتر بنا کر (جیسے اطلاق شدہ دباؤ) ، HEMEI عمل سلیکن نائٹرائڈ کے لئے زیادہ سے زیادہ مادی ہٹانے کی شرح (ایم آر آر) حاصل کرسکتا ہے1.5 - 3 μm/گھنٹہ، کارکردگی اور سطح کے معیار کے مابین توازن کو مار رہا ہے۔
مندرجہ ذیل اعداد و شمار دس 2 - انچ سلیکن نائٹریڈ ویفرز کے بیچ سے ماپا جانے والے نتائج پر مبنی ہیں جو HSM-CMP سسٹم پر عملدرآمد کرتے ہیں:
| پیرامیٹر | پیسنے کے بعد (ابتدائی) | پالش کرنے کے بعد (فائنل) | ہدف کی تفصیلات |
|---|---|---|---|
| سطح کی کھردری (RA) | ~ 110 ینیم | < 1.5 nm | را <2 این ایم |
| ٹی ٹی وی | - | < ±1.5 μm | ttv <± 2 μm |
| مسٹر | - | 1.5 - 3 μm/h | - |
| دخش | - | < 20 μm | رکوع <25 μm |
| مندرجہ بالا پیرامیٹر کے نتائج صرف ہیمی سیمیکمڈکٹر (سوزہو) لیب کے حوالہ کے لئے ہیں۔ |
سلیکن نائٹرائڈ ویفروں کے لئے عام نتائج
قطر:2 انچ (بڑے سائز کے قابل توسیع)
مادی ہٹانے کی شرح (ایم آر آر):1.5 - 3 μm/گھنٹہ
آخری RA قیمت:<1.5 ینیم
فلیٹنس (ٹی ٹی وی):<± 1.5 μm
رکوع:<20 μm
مندرجہ بالا پیرامیٹر کے نتائج صرف ہیمی سیمیکمڈکٹر (سوزہو) لیب کے حوالہ کے لئے ہیں۔
خلاصہ:ہیمی کا پالش حل سلیکن نائٹریڈ سبسٹریٹس کے لئے ایک پروڈکشن - ثابت پروسیسنگ راہ فراہم کرتا ہے ، جو مستقل طور پر اور بار بار نانوسکل سطح کی تکمیل اور مائکرون - سطح کی جیومیٹرک درستگی کو حاصل کرنے کے قابل ہے۔ یہ مختلف اعلی - اختتامی ایپلی کیشنز میں سلیکن نائٹریڈ کی صنعتی کاری کی مضبوطی سے حمایت کرتا ہے۔
