پولی کرسٹل لائن سلکان کاربائیڈ
پولی کرسٹل لائن سلکان کاربائیڈ
Polycrystalline Silicon Carbide (Polycrystalline SiC)، ایک نمائندہ اعلی-کارکردگی کے ساختی سرامک اور سیمی کنڈکٹر آلات کے لیے کلیدی مواد کے طور پر، آپٹیکل کھڑکیوں، سیمی کنڈکٹر کے آلات کے اجزاء، ویکیوم چیمبرز، اور اعلی-توانائی میں اہم کردار ادا کرتا ہے، اس کی بہترین کیمیکل کنڈکٹیٹی، اعلیٰ کیمیائی چالکتا، اعلیٰ کیمیکل کنڈکٹر کی وجہ سے مزاحمت پہننا. اس کا پولی کرسٹل لائن ڈھانچہ مؤثر طریقے سے سنگل کرسٹل کی اینسوٹروپی سے بچتا ہے، اعلی طاقت اور سختی کو برقرار رکھتے ہوئے اعلی تھرمل جھٹکا استحکام فراہم کرتا ہے۔ تاہم، پولی کرسٹل لائن ایس آئی سی کی اعلی سختی اور ٹوٹ پھوٹ درستگی مشینی کے لیے اہم چیلنجز کا باعث بنتی ہے، خاص طور پر آپٹیکل اور سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز میں جس میں نانوسکل سطح کی تکمیل اور ذیلی-مائکرون فارم کی درستگی کی ضرورت ہوتی ہے۔ سطح کی مشینی معیار براہ راست اجزاء کی کارکردگی اور عمر کا تعین کرتا ہے۔
Hemei کمپنی کے پاس الٹرا-سخت مواد اور سیرامک پریزین مشیننگ کے شعبے میں گہرا تجربہ اور تکنیکی جمع ہے۔ پولی کرسٹل لائن SiC کی مادی خصوصیات کو نشانہ بناتے ہوئے، Hemei نے ایک پالش اور پلانرائزیشن حل تیار کیا ہے جو انتہائی-سطح کی درستگی کے ساتھ اعلی-کارکردگی والے مواد کو ہٹانے میں توازن رکھتا ہے۔ یہ پراسیس سسٹم خالی شکل سے لے کر حتمی آپٹیکل-گریڈ سطح تک پورے ورک فلو کا احاطہ کرتا ہے، اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ یہ آپٹیکل سسٹمز، سیمی کنڈکٹر آلات، اور جدید ڈیٹیکٹرز کی طرف سے مانگی جانے والی مفت ذیلی-سطح کی سطحوں کی اعلی ہمواری، کم کھردری اور نقصان کے لیے سخت تقاضوں کو پورا کرتا ہے۔
درخواست کے تقاضے
پولی کرسٹل لائن SiC مواد کی چمکانے اور سطح کے علاج کے مقاصد میں شامل ہیں:
سطح کی کھردری (را) کو کم کرنا< 1 nm to decrease optical scattering loss and enhance optical performance.
آپٹیکل امیجنگ کے معیار اور سسٹم کے انضمام کی درستگی کو یقینی بنانے کے لیے 2 μm سے کم یا اس کے برابر موٹائی کی یکسانیت (TTV) حاصل کرنا۔
زیادہ بوجھ اور طویل مدتی استعمال-کے تحت قابل اعتمادی کو یقینی بناتے ہوئے، چپنگ، دراڑوں، اور ذیلی-سطح کو نقصان پہنچانے والی تہوں سے پاک سطح حاصل کرنا۔
یہ عمل پولی کرسٹل لائن ایس آئی سی کے لیے مختلف اناج کے سائز اور سنٹرنگ کثافت کے لیے موزوں ہے، جو ملی میٹر سے سینٹی میٹر تک کی موٹائی اور 50 ملی میٹر سے 200 ملی میٹر کے سائز کے ساتھ پلانر اجزاء کو سپورٹ کرتا ہے۔
ان اہداف کو حاصل کرنے کے لیے، Hemei کا عمل حسب ضرورت بانڈنگ سسٹمز اور ملٹی-مرحلہ پالش کرنے کے طریقہ کار کو استعمال کرتا ہے تاکہ پروسیسنگ کے دوران جیومیٹرک درستگی اور سطح کی سالمیت کو یقینی بنایا جا سکے۔
سسٹم کی تفصیلات
ہیمی کا ماڈیولر پالش کرنے والا نظام مختلف سائز اور اشکال کے پولی کرسٹل لائن SIC کی پروسیسنگ کی حمایت کرتا ہے۔ بنیادی نظام میں شامل ہیں:
HSM-L/LP سیریز لیپنگ کا سامان: ابتدائی مواد کو ہٹانے اور موٹائی کے کنٹرول کے لیے۔
HSM-CMP سیریز کیمیکل مکینیکل پالشنگ (CMP) سسٹم: انتہائی-ہموار، نقصان-مفت سطحوں کو حاصل کرنے کے لیے۔
کلیدی ذیلی نظاموں میں شامل ہیں:
ویفر/کرسٹل-مخصوص بانڈنگ یونٹ (WB)
SJ/ASJ سیریز پریسجن پالش فکسچر
C-ASJ ڈرائیو ہیڈ ہائی-اسپیڈ پالشنگ سسٹم
پروسیسنگ فلو
بانڈنگ اور ماؤنٹنگ: پولی کرسٹل لائن SiC کو عارضی طور پر WB یونٹ کا استعمال کرتے ہوئے سپورٹ پلیٹ سے جوڑا جاتا ہے، پھر پالش کرنے والے فکسچر پر لگایا جاتا ہے۔
رف اور انٹرمیڈیٹ پالش: HSM-L آلات پر پروسیسنگ نقصان کی پرت کو ہٹانے کے لیے کنٹرولڈ گرائنڈنگ کی جاتی ہے۔
فائن پالش: HSM-CMP سسٹم فائنل پالش کرتا ہے۔ دباؤ، گردش کی رفتار، اور سلیری بہاؤ جیسے پیرامیٹرز کو نینو میٹر-سطح کی ہمواری حاصل کرنے کے لیے حقیقی-وقت میں ایڈجسٹ کیا جاتا ہے۔
عام نتائج
سطح کی کھردری Ra< 0.8 nm (measured by white light interferometer).
کل موٹائی کا تغیر (TTV) 1.5 μm سے کم یا اس کے برابر۔
مواد کو ہٹانے کی شرح کھردری پیسنے کے مرحلے میں 5-15 μm/منٹ تک پہنچ سکتی ہے اور باریک پالش کرنے کے مرحلے میں 0.2-1 μm/min پر کنٹرول کی جاتی ہے۔
زیادہ سے زیادہ قطر 200 ملی میٹر اور موٹائی 30 ملی میٹر سے زیادہ نہ ہونے کے ساتھ پولی کرسٹل لائن SiC پلیٹوں اور ونڈو کے اجزاء پر کارروائی کرنے کے قابل۔
خلاصہ
Hemei کمپنی پولی کرسٹل لائن سلکان کاربائیڈ کے لیے ایک موثر اور قابل کنٹرول الٹرا-پریزین پالش اور پلانرائزیشن حل فراہم کرتی ہے۔
یہ حل مستحکم طور پر نانوسکل سطح کے معیار اور بہترین فارم کی درستگی فراہم کرتا ہے، اعلی-آپٹیکل سسٹمز، سیمی کنڈکٹر پروسیس آلات، اسپیس پے لوڈز، ہائی-پاور لیزر ڈیوائسز، اور دیگر فیلڈز میں پولی کرسٹل لائن SiC کے قابل اعتماد اطلاق اور کارکردگی میں اضافہ کی مضبوطی سے حمایت کرتا ہے۔
